|
memoria ad accesso casuale con tempo in uscita esteso
(Extended Data Out Random Access Memory)
|
Una forma di memoria dinamica ad accesso casuale (DRAM) che accelera
lÆaccesso a posizioni di memoria consecutive in due modi. 1) si parte
dallÆassunzione che lÆaccesso successivo sarà indirizzato a una cella che
si trova nella stessa riga di transistor a cui era indirizzato lÆaccesso
precedente (la RAM è composta di celle a transistor, suddivise per righe e
per colonne). 2) si conservano i dati in uscita così che possano ancora
essere letti anche se nel frattempo il computer sta modificando il
contenuto di una locazione di memoria adiacente.
Questa particolare architettura accelera lÆaccesso alla memoria
tipicamente del 5% in presenza di cache oppure del 30-50% in assenza di
cache di secondo livello, senza aumentare significativamente il costo del
chip di RAM. Ha avuto un breve successo tra il 1996 e il 1997,
rimpiazzando la RAM dinamica di tipo FPM, per poi essere a sua volta
rimpiazzata dalla SDRAM. Le EDO RAM sono nate dopo le SDRAM, ma sono state
utilizzate prima di queste poiché consentivano di utilizzare senza
modifiche le vecchie schede madri già sviluppate per la memoria FPM.
La DRAM di tipo EDO (Extended Data Out) perfeziona il funzionamento della
FPM permettendo di accedere alla successiva colonna mentre il computer sta
ancora prelevando dalla memoria il dato appena letto nella colonna
precedente. La tecnica consiste nellÆalterare il funzionamento interno di
una DRAM modificando una connessione interna verso il buffer di output. In
sostanza le informazioni vengono mantenute disponibili per la CPU anche
quando il successivo ciclo di accesso è già iniziato. LÆEDO DRAM è stata
introdotta nei comuni pc circa un anno e mezzo fa ed è diventata da allora
la scelta privilegiata di molti produttori visto che costituisce una
semplice ed economica evoluzione della memoria FPM. LÆEDO DRAM funziona in
modo simile alla FPM DRAM: viene attivata una riga di memoria e poi viene
attivata la colonna. Ma quando si trova il pezzo dÆinformazione, invece di
disattivare la colonna e spegnere il buffer di output (come avviene nella
FPM DRAM), la memoria EDO mantiene acceso il buffer dei dati in uscita
finché inizia lÆaccesso alla colonna seguente oppure il ciclo di lettura
successivo (il segnale di accessibilità dei dati in uscita dura più a
lungo, vale a dire viene esteso , da cui il nome di questa particolare
versione di DRAM). Mantenendo acceso il buffer più a lungo, si acquista
una maggiore flessibilità nella temporizzazione della scheda madre;
inoltre, potendo abilitare immediatemente il successivo ciclo di lettura,
si eliminano o si riducono gli stati dÆattesa e si velocizzano i
trasferimenti burst (a raffica).
La EDO DRAM permette idealmente un ciclo di lettura burst più veloce della
FPM DRAM: 6-2-2-2 contro 6-3-3-3.
|
|